MOCVD，也称为金属有机气相外延 (MOVPE)，是 CVD 的一个子集。在 CVD 中，化学反应在所提供的前体的气相中发生，并导致沉积在基材上的固体材料的形成。金属有机化合物用于提供III族元素，在本例中为Ga。需要外部能量...
额定功率75W以下的适配器可细分为：输入滤波器、二极管整流器、输入输出电容器、IC控制器、辅助电源、磁性元件、功率器件和散热器。集成解决方案在缩小和简化转换器方面已...
随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器对于业界隔离 DC/DC 拓扑来说是一种有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器 (>75W)、1KW-3KW 数据...
采用 GaN 的汽车降压/反向升压转换器，可实现高效 48 V 配电
汽车行业日益电气化的趋势使汽车制造商既能以成本效益向市场提供新的创新，又能满足日益严格的排放立法。将车辆的主母线电压提高到48V有助于满足耗电系统的需求，如轻度混...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2024-03-05 阅读：1342
足够的故障检测响应时间约为 2 s [2]，该时间决定了电源开关所需的短路承受时间 (SCWT) 额定值（即设备可以承受短路事件的最短时间） ，在源极端子和漏极端子之间施加高电...
分类：电子测量 时间：2024-02-21 阅读：537
GAN，全称为氮化镓（Gallium Nitride），是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。GAN氮化镓材料以其高电子迁移率、高热稳定性和优异的物理特性等优点而备受关注。下面是GAN氮化镓的一些基本信息： 特性 ...
消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。 在设计现代消费级 USB Type-C 移动...
分类：电源技术 时间：2024-01-02 阅读：356
高端音频放大器现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性可减少注入放大器的可听噪声。近期，包括Technics（松下）在内的知名音频设备制造商均发布了采...
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
汽车 GaN FET 专为 HEV/EV 的高频和鲁棒性而设计
电动汽车 (EV) 车载充电器 (OBC) 正在经历快速变化，它允许消费者直接通过家里或公共或商业网点的交流电源为电池充电。提高充电速率的需要导致功率水平从 3.6 kW 增加到 22...
Microchip 的 SP1F 和 SP3F 电源模块采用免焊压接端子，通过创新和简单性重新定义了制造效率。这项革命性技术不仅大大降低了生产成本，而且还加快了组装过程。这些模块有 2...
ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC
采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。 近年...
氮化镓 (GaN) 是一种 III-V 族宽带隙半导体，由于在用作横向高电子迁移率晶体管 (HEMT) 时具有卓越的材料和器件性能，因此在功率转换应用中得到越来越多的采用。 HEMT ...
对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得最大利益。 对于使用过功率 MOSFET 的电源...
用于预先确定模块化高功率 DC/DC 转换器尺寸的 GaN 组件
电力架构基于多个互连且电隔离的板载电网。此外，还有两个网络电压等级：为控制设备供电的 28-VDC 标准低压直流 (LVDC) 总线和为动力执行器供电的 270-VDC/540-VDC 高压直...
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）ViperGaN50器件的GaN电源转换器方案。 图示1-大联大友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的实体图 近年...
适用于 CSP GaN FET 的简单且高性能的热管理解决方案
功率器件的热管理 电力电子市场需要越来越小、更高效、更可靠的设备。满足这些严格要求的关键因素是高功率密度（能够减少解决方案的占地面积和成本）和出色的热管理（能...
分类：电源技术 时间：2023-08-10 阅读：307 关键词：CSP GaN FET
GaN 功率晶体管具有高跨导和宽带宽，可实现非常快速的开关转换，即使在硬开关应用中也能实现极低的损耗。然而，快速开关和随后的高 di/dt 和 dv/dt 可能对主 GaN 功率晶体...
时间：2023-08-10 阅读：526 关键词：GaN 晶体管
额定值高于 1 kW 的电机驱动应用使用 GaN 逆变器 IC
GaN 技术的三个最重要的参数是更高的带隙、临界场和电子迁移率。当这些参数结合起来时，由于 GaN 晶体的临界场高 10 倍，因此与硅 MOSFET 相比，电端子之间的距离可以近 10...
通电隔离栅极驱动器：高效 GaN FET 控制，占用空间更小
AHV85110 概述 AHV85110 是一款隔离式栅极驱动器，可驱动电源系统中的 GaN（氮化镓）FET（场效应晶体管）。其主要显着特征之一是将传统上独立的组件（隔离栅极驱动器和...
